Navitas是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，也是氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术的行业领导者，该公司宣布推出世界上首款8.5kW电源装置（PSU），采用GaN和SiC技术，效率高达98%，适用于下一代AI和超大规模数据中心。
经过AI优化的54V输出PSU符合开放计算项目（OCP）和Open Rack v3（ORv3）规范，并采用高功率GaNSafe和Gen-3 Fast SiC MOSFET，配置为三相交错PFC和LLC拓扑，以确保最高的效率和性能，同时减少组件数量。PSU的PFC和LLC均采用三相拓扑（而竞争PSU使用的是两相拓扑），可实现业界最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞争系统相比，PSU 将GaN和SiC器件的数量减少了25%，从而降低了总体成本。PSU的输入电压范围为180至264Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5oC至45oC。8.5kW时的保持时间为10ms，通过延长器可以达到20ms。
三相LLC拓扑由高功率GaNSafe实现，它专为要求严格的高功率应用而设计，例如AI数据中心和工业市场。Navitas第四代集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，可实现前所未有的可靠性和稳健性。GaNSafe是世界上最安全的GaN，具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚上的2kV ESD保护、消除负栅极驱动和可编程斜率控制。所有这些功能均通过4引脚控制，允许将封装视为分立的GaN FET，无需VCC引脚。适用于1kW至22kW的应用，TOLL和TOLT封装中的650V GaNSafe可提供25至98mΩ的R DS（ON）MAX范围。
三相交错式CCM TP-PFC由具有“沟槽辅助平面”技术的第三代快速SiC MOSFET供电，并在温度方面提供世界领先的性能，实现低温运行、快速切换和卓越的稳健性，以支持更快充电电动汽车和超大规模AI数据中心。
Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“这款完整的GaN和SiC宽带隙解决方案使Navitas的AI电源路线图得以延续，该路线图实现了8.5kW功率，并计划在近期内将功率提高到12kW及更高水平。全球多达95%的数据中心无法满足运行NVIDIA最新Blackwell GPU的服务器的功率需求，这凸显了生态系统的准备不足。这款PSU设计直接解决了AI和超大规模数据中心面临的挑战。”
