根据消息来源和文件，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组高带宽内存（HBM）半导体的早期阶段。
据三名知情人士透露，中国最大DRAM芯片制造商长鑫存储已与芯片封装测试公司通富微电合作开发了HBM芯片样品。其中两人表示，这些芯片正向客户展示。
另一个例子是，企业数据库Qichacha文件显示，武汉新芯正在建设一家工厂，每月可生产 3000片12英寸HBM晶圆。
两位知情人士表示，长鑫存储和其他中国芯片公司还与韩国和日本半导体设备公司定期举行会议，购买开发HBM的工具。
另外，据一位消息人士和另一位知情人士透露，华为计划到2026年与其他国内公司合作生产HBM2芯片。
HBM是一种DRAM标准，其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，非常适合处理复杂人工智能应用产生的大量数据，并且随着人工智能的发展，需求猛增。
HBM市场由韩国SK海力士（据分析师称，直到最近为止，它还是人工智能芯片巨头英伟大唯一HBM供应商）、三星以及美光科技（较小程度上）主导。这三家公司都生产最新标准HBM3芯片，并致力于今年向客户推出第五代 HBM 或 HMB3E。
另据两位消息人士和一位直接了解此事的人士透露，国内目前的工作重点是HBM2。
White Oak Capital 投资总监、前IT行业分析师 Nori Chiou表示：“长鑫存储与通富微电的合作对于中国市场来说是一个重要的机会，可以提升其在HBM市场内存和先进封装技术方面的能力。”
长鑫存储、通富微电和华为提交的专利表明，在国内开发HBM至少可以追溯到三年前，根据 AcclaimIP数据库，长鑫存储已在美国、中国和中国台湾地区申请了近130项专利，涉及HBM芯片制造和功能相关的不同技术问题。其中，14篇于2022年出版，46篇于2023年出版，69篇于2024年出版。
上个月发布的一项专利显示，长鑫存储正在研究混合键合等先进封装技术，以创造更强大的 HBM产品。另一份文件显示，长鑫存储还在投资开发创建HBM3所需的技术。
